IGBT 模塊作為電能變換與控制的核心組件之一，被稱(chēng)為電力電子裝置的“CPU”，高效節(jié)能減排的主力軍。以往IGBT 模塊的生產(chǎn)商主要集中在日本和歐洲等國(guó)家，近年來(lái)，IGBT的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入高速增長(zhǎng)期，形成了一個(gè)良性的迭代循環(huán)的過(guò)程。

今天我們來(lái)看一看關(guān)于IGBT，你必須知道的一些事~

什么是IGBT？

IGBT又叫絕緣柵雙極性晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。IGBT結(jié)合了MOSFET低驅(qū)動(dòng)電流和三極管低導(dǎo)通電阻的優(yōu)勢(shì)，相比于MOSFET制造難度更高、結(jié)構(gòu)更復(fù)雜，可承受的電壓也更大。

IGBT的作用是什么？

IGBT的主要功能是通過(guò)脈寬調(diào)制，把輸入的直流電變成一定頻率的交流電，或者把交流電變成直流電，主要用于變頻逆變和其他逆變電路。IGBT的工作性能與電力電子裝置的整機(jī)性能息息相關(guān)，而驅(qū)動(dòng)電路決定IGBT模塊能否安全工作。

IGBT在應(yīng)用中有什么優(yōu)點(diǎn)？

IGBT可承受1000V以上的高電壓，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn)，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

IGBT分為哪幾個(gè)種類(lèi)？

IGBT按電壓等級(jí)劃分，覆蓋600-6500V不等；按芯片工藝劃分，分為穿通型(PT)、

非穿通型(NPT)、場(chǎng)終止型(FS-NPT,LPT、SPT類(lèi)似)；按柵結(jié)構(gòu)劃分，分為平面柵和溝槽柵；按產(chǎn)品形態(tài)劃分，又分為單管分立器件、模塊和功率集成。

IGBT主要的半導(dǎo)體材料是什么？

主流的IGBT芯片普遍采用硅(Si) 材料，但隨著硅(Si) 器件物理性能達(dá)到極限，碳化硅(SiC)等寬禁帶器件成為必然趨勢(shì)。

IGBT的測(cè)試應(yīng)該注意哪些參數(shù)？

近年來(lái)IGBT的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，那么IGBT的測(cè)試就變的尤為重要了。接下來(lái)，我們們通過(guò)一則小視頻來(lái)進(jìn)一步了解IGBT的性能測(cè)試。

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