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半導(dǎo)體功率器件C-V特性測(cè)試系統(tǒng)
電容-電壓(C-V)測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C-V特性），C-V 曲線測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。
產(chǎn)品特點(diǎn)
● 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點(diǎn)可調(diào)
● 高精度、大動(dòng)態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%
● 內(nèi)置CV測(cè)試：內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時(shí)間），C-F（電容 - 頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能
● 兼容IV測(cè)試：同時(shí)支持擊穿特性以及漏電流特性測(cè)試
● 實(shí)時(shí)曲線繪制：軟件界面直觀展示項(xiàng)目測(cè)試數(shù)據(jù)及曲線，便于監(jiān)控
● 擴(kuò)展性強(qiáng)：系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，可根據(jù)需求靈活搭配
軟件界面及功能
CV測(cè)試界面
CV曲線圖
產(chǎn)品選型
| 模塊 | VGS范圍 | IGSS/IGE | VDS范圍 | IDSS/ICES | 源測(cè)精度 |
|---|---|---|---|---|---|
| SMU | 0 - ±30V(選配) | ≥10pA(選配) | 0-±300 | ≥10pA | 0.03% |
| 0-±1200V | ≥1nA | 0.1% | |||
| 0-±2200V | ≥1nA | 0.1% | |||
| 0-±3500V | ≥1nA | 0.1% |
| 模塊 | 測(cè)試頻率 | 頻率輸出精確度 | 基本準(zhǔn)確度 | AC測(cè)試信號(hào)準(zhǔn)位 | DC測(cè)試信號(hào)準(zhǔn)位 | 輸出阻抗 | 量測(cè)范圍 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LCR | 10Hz-1MHz | ±0.01% | ±0.05% | 10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度) | 10mV至2V (1m Vrms 解析度) | 100Ω | |Z|, R, X 0.001mΩ–99.999MΩ Cs、Cp 0.01pF – 9.9999F D 0.00001-9.999 DCR 0.001mΩ–9.999MΩ θ -180° -+180° |Y|, G, B 0.1nS–99.999S Ls Lp 0.1nH–9.999kH Q 0.1-9999.9 Δ% -9999%-999% |
*以上規(guī)格如有更新，恕不另行通知。
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