光電耦合器作為一種光電隔離的器件,主要由發(fā)光器件、光接收器件以及兩者之間的耐電壓擊穿能力強(qiáng)的電介質(zhì)透明絕緣材料組成。通常發(fā)光器件為紅外LED，光接收器件為光控晶閘管或光敏三級(jí)管。當(dāng)有電流流入發(fā)光元件LED時(shí)會(huì)使LED燈發(fā)光，光透過(guò)透明絕緣材料被光接收器件接收后產(chǎn)生電流輸出，從而實(shí)現(xiàn)以光為媒介電信號(hào)的隔離傳輸。

由于它以光的形式傳輸直流或交流信號(hào)，所以具有較強(qiáng)的抗EMI干擾特性和電流電壓隔離能力。因此，光電耦合器被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電路、級(jí)間耦合、電氣隔離、遠(yuǎn)距離信號(hào)傳輸?shù)取９怆婑詈掀鞯碾娦阅軈?shù)測(cè)試主要包括試 VF、VR、IR、ICEO、VCE(sat)、ICon 以及輸入輸出曲線等。

芯片測(cè)試作為芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過(guò)對(duì)待測(cè)器件DUT(Device Under Test)的檢測(cè)，區(qū)別缺陷、驗(yàn)證器件是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)、分離器件好壞的過(guò)程。其中直流參數(shù)測(cè)試是檢驗(yàn)芯片電性能的重要手段之一，常用的測(cè)試方法是FIMV（加電流測(cè)電壓）及FVMI（加電壓測(cè)電流），測(cè)試參數(shù)包括開(kāi)短路測(cè)試(Open/Short Test)、漏電流測(cè)試（Leakage Test）以及DC參數(shù)測(cè)試（DC Parameters Test）等。

對(duì)于細(xì)胞來(lái)說(shuō)，趨電性（electrotaxis）是集體細(xì)胞遷移的機(jī)制之一，指細(xì)胞在直流電場(chǎng)作用下，根據(jù)細(xì)胞類型的不同，朝向陰極或陽(yáng)極的方向移動(dòng)。細(xì)胞在電場(chǎng)的作用下可以打開(kāi)電壓門控的離子通道（比如Ca2+或Na+通道），隨后離子流入細(xì)胞內(nèi)，并激活離子轉(zhuǎn)運(yùn)蛋白發(fā)出下游信號(hào)指導(dǎo)細(xì)胞遷移。細(xì)胞的趨電性在胚胎發(fā)生、炎癥、傷口愈合和腫瘤轉(zhuǎn)移過(guò)程中起重要作用。

電磁繼電器主要由觸點(diǎn)簧片、銜鐵、線圈、鐵芯、觸點(diǎn)等部件組成，由線圈、鐵芯、觸點(diǎn)等部分組成。當(dāng)線圈通電時(shí)，會(huì)在鐵芯中產(chǎn)生磁場(chǎng)，使得觸點(diǎn)吸合或釋放，從而開(kāi)啟或關(guān)閉控制電路；固態(tài)繼電器是一種由固態(tài)電子元器件（光耦、MOS管、可控硅等）組成的無(wú)觸點(diǎn)式繼電器，本質(zhì)是其實(shí)是一種具有開(kāi)關(guān)性質(zhì)的集成電路。

繼電器的性能測(cè)試主要包括電壓參數(shù)（吸合/釋放電壓、自保持/復(fù)歸電壓、動(dòng)作不同步電壓、線圈瞬態(tài)抑制電壓）、電阻參數(shù)（線圈電阻、觸點(diǎn)接觸電阻）、時(shí)間參數(shù)（吸合時(shí)間/釋放時(shí)間、吸合回調(diào)/釋放回調(diào)時(shí)間、觸點(diǎn)穩(wěn)定時(shí)間、動(dòng)合/靜合超行程時(shí)間、吸合/釋放飛躍時(shí)間）、狀態(tài)判斷（先斷后合、中位篩選）等。

二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)，只允許 電流從單一方向流過(guò)。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等特性，廣泛應(yīng)用于整流、穩(wěn) 壓、保護(hù)等電路中，是電子工程上用途最廣泛的電子元 器件之一。

IV特性是表征半導(dǎo)體二極管PN結(jié)制備性能的主 要參數(shù)之一，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性。

BJT是一種雙極型二極管，它是一個(gè)“兩結(jié)三端”電流控制器件。雙極二極管是一種電流控制器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。BJT的種類很多。按照頻率分，有高頻管、低頻管；按照功率分，有大、中、小功率管；按照半導(dǎo)體材料分，有硅管、鍺管等等。

BJT電性能測(cè)試中主要測(cè)試參數(shù)包含正向壓降（VF）、反向漏電流（IR）和反向擊穿電壓（VR）、較高工作頻率（fM）、較大整流電流（IF）等參數(shù)。

MOS管是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的半導(dǎo)體器件，主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓(VGS(th))、漏電流(IGSS、IDSS)，擊穿電壓(VDSS)、低頻互導(dǎo)(gm)、輸出電阻(RDS)等；直流I-V測(cè)試是表征MOSFET特性的基礎(chǔ)，通常使用I-V特性分析或I-V曲線來(lái)決定器件的基本參數(shù)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)幫助工程師提取MOSFET的基本I-V特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。

晶閘管全稱晶體閘流管，指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體器件，主要有單向晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、可關(guān)斷晶閘管（GTO）、SIT、及其他種類等。根據(jù)晶閘管的伏安特性，需要依照廠家提供的晶閘管器件數(shù)據(jù)進(jìn)行測(cè)試試驗(yàn)。

IGBT作為新一代功率半導(dǎo)體器件，IGBT具有驅(qū)動(dòng)容易、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，是自動(dòng)控制和功率變換的關(guān)鍵核心部件，被廣泛應(yīng)用在軌道交通裝備行業(yè)、電力系統(tǒng)、工業(yè)變頻、風(fēng)電、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車和家電產(chǎn)業(yè)中。

IGBT動(dòng)態(tài)、靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)是IGBT模塊研發(fā)和制造過(guò)程中重要的測(cè)試系統(tǒng)，從晶圓、貼片到封裝完整的生產(chǎn)線，從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)線的測(cè)試需求全覆蓋。合理的IGBT測(cè)試技術(shù)，不僅能夠準(zhǔn)確測(cè)試IGBT的各項(xiàng)器件參數(shù)，而且能夠得到實(shí)際應(yīng)用中電路參數(shù)對(duì)器件特性的影響，進(jìn)而優(yōu)化IGBT器件的設(shè)計(jì)。

GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors,氮化家高電子遷移率晶體管)作為寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體器件的代表,相比于Si和SiC器件,具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)。由于材料上的優(yōu)勢(shì),GaN在高頻率工作狀態(tài)下具有優(yōu)異的功率以及頻率特性,和較低的功率損耗。 

GaN HEMT器件的評(píng)估一般包含直流特性(直流l-V測(cè)試)、頻率特性(小信號(hào)S參數(shù)測(cè)試)、功率特性(Load-Pull測(cè)試)。

傳統(tǒng)的光電轉(zhuǎn)換技術(shù)一般采用 LED 等發(fā)光器件。這種發(fā)光器件多采用邊緣發(fā)射，體積大，因此比較難以和半導(dǎo)體技術(shù)結(jié)合。VCSEL技術(shù)(又稱垂直腔表面發(fā)射激光 技術(shù))成熟后，解決了發(fā)光器件和半導(dǎo)體技術(shù)結(jié)合的問(wèn)題，因此迅速得到普及。

普賽斯高精度數(shù)字源表支持供電脈沖電流及Vcsel兩端脈沖電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，是Vcsel失效性分析和老化對(duì)比較優(yōu)解決方案。

大功率激光器在 工業(yè)與國(guó)防等各領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，是現(xiàn)代激光材料加工、激光再制造、國(guó)防安全領(lǐng)域中必不可少的核心組件之一。隨著激光技術(shù)的發(fā)展，大功率激光器的性能也在不斷提高，許多新型激光器相繼問(wèn)世。半導(dǎo)體激光器具有體積小、效率高、質(zhì)量輕、壽命長(zhǎng)、成本低等諸多優(yōu)點(diǎn),在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的許多方面起著越來(lái)越重要的作用。

但與此同時(shí)，激光器功率的急劇.上升也會(huì)給其帶來(lái)可靠性水平的下降，造成工作壽命縮短。因此，在大功率激光器的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中需要對(duì)其性能參數(shù)與可靠性進(jìn)行深入測(cè)試。

光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成最終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開(kāi)光注入產(chǎn)生的電子空穴對(duì),從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測(cè)器通常在反向狀態(tài)工作;測(cè)試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電容、響應(yīng)度、串?dāng)_等參數(shù)。

實(shí)施光電性能參數(shù)表征分析的最佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)，針對(duì)光電探測(cè)器單個(gè)樣品測(cè)試以及多樣品驗(yàn)證測(cè)試,可直接通過(guò)單臺(tái)數(shù)字源表、多臺(tái)數(shù)字源表或插卡式源表搭建完整的測(cè)試方案。

憶阻器件有兩個(gè)典型的阻值狀態(tài),分別是高阻態(tài)(HRS)和低阻態(tài)(LRS),高阻態(tài)具有很高的阻值,通常為幾kΩ到幾MΩ,低阻態(tài)具有較低的阻值,通常為幾百Ω。

憶阻器的阻變行為最主要是體現(xiàn)在它的I-V曲線圖上，不同種材料構(gòu)成的憶阻器件在許多細(xì)節(jié)上存在差異,依據(jù)阻值的變化隨外加電壓或電流變化的不同,可以分為兩種,分別是線性憶阻器LM(linear memristor)以及非線性憶阻器NLM(non-linear memristor)。