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●    30μV-1200V，1pA-100A 寬量程測(cè)試能力

●     測(cè)量精度高，全量程下可達(dá)0.03%

●     內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便 

●     自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取、 數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)

●     在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無需重新布線

●     提供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)

●     免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集

應(yīng)用場(chǎng)景及測(cè)試參數(shù)

1、納米材料：電阻率、載流子遷移率、載流子濃度、霍爾電壓

2、柔性材料：拉伸/扭轉(zhuǎn)/彎折、V-t、I-t、R-t、電阻率、靈敏度

3、IC芯片：O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線

4、分立器件：BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉(zhuǎn)移/CV曲線等

5、光電探測(cè)器：暗電流ID、結(jié)電容Ct、反向擊穿電壓VBR、響應(yīng)度R

6、鈣鈦礦電池：VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED：Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線

8、傳感器/憶阻器：V-t、I-t、R-t、直流/脈沖/交流IV測(cè)試

特色優(yōu)勢(shì)

1、模塊化配置：可靈活配置多種測(cè)量單元，預(yù)留升級(jí)空間，方便后期升級(jí)

2、圖形化界面：內(nèi)置常用器件模板，可直接調(diào)用，并且支持輸出三種模式測(cè)試報(bào)告

3、自動(dòng)化測(cè)試：內(nèi)嵌低漏電矩陣開關(guān)，可自動(dòng)切換測(cè)試電路，實(shí)現(xiàn)一鍵測(cè)試功能

4、夾具可定制：支持二極管、三極管、Si及SiC MOS管、IGBT等器件

5、多設(shè)備聯(lián)動(dòng)：可與探針臺(tái)、溫控模塊等搭配使用，溫控范圍：室溫~250℃

加快半導(dǎo)體材料、芯片器件設(shè)計(jì)以及先進(jìn)工藝的開發(fā)驗(yàn)證

1、支持直流、脈沖I-V測(cè)試

2、內(nèi)置專業(yè)矩陣開關(guān)，提高測(cè)試效率

3、可與多種設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用：晶圓級(jí)芯片性能測(cè)試需要與探針臺(tái)聯(lián)動(dòng)，可靠性評(píng)估會(huì)涉及常溫以及高低溫等條件

4、三同軸線纜提升小電流測(cè)試精度

圖形化軟件界面

配合普賽斯自主開發(fā)的專業(yè)測(cè)試軟件，SPA6100可輕松實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料，器件的參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)內(nèi)置常用器件模板，如二極管， 三極管，MOSFET。測(cè)試過程中，可直接調(diào)用，只需簡(jiǎn)單設(shè)置測(cè)試參數(shù)即可。軟件支持測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，以及曲線繪制。測(cè)試完畢 后，可將數(shù)據(jù)以及曲線導(dǎo)出保存。

靈活可定制化的夾具方案

針對(duì)市面上不同封裝類型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品，普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類豐富等特點(diǎn)，可 用于二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產(chǎn)品的測(cè)試；也可與探針臺(tái)連接，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片 測(cè)試。

不同封裝類型的夾具

低壓直流I-V源測(cè)量單元

低壓脈沖I-V源測(cè)量單元

高壓I-V源測(cè)量單元

高流I-V源測(cè)量單元

電容測(cè)量單元

*以上規(guī)格如有更新，恕不另行通知。