上篇我們講了IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)，以及IGBT需要進(jìn)行測(cè)試的參數(shù)，這篇我們來(lái)講一講該如何進(jìn)行IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。首先我們來(lái)回顧一下何為靜態(tài)參數(shù)測(cè)試？

IGBT靜態(tài)參數(shù)主要是指IGBT本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)，只有保證IGBT的靜態(tài)參數(shù)沒(méi)有問(wèn)題，才進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、續(xù)流二極管的反向恢復(fù)）、功率循環(huán)，HTRB可靠性方面進(jìn)行測(cè)試。

接下來(lái)我們來(lái)看看這十項(xiàng)參數(shù)的指標(biāo)含義：

1、集電極-發(fā)射極電壓VCES

柵-射極短路條件下，集-射極間能夠承受的最大電壓

2、集電極-發(fā)射極飽和電壓VCEsat

規(guī)定柵極電壓和集電極電流下，集-射極間的電壓

3、柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE

柵極電流為規(guī)定的值時(shí)，柵極-發(fā)射極電壓

4、柵極閾值電壓VGE（th）

集電極電流為規(guī)定的低值或絕 對(duì)值時(shí)的柵極-發(fā)射極電壓，用于衡量IGBT柵極導(dǎo)通閾值

5、集電極-發(fā)射極截止電流ICES

在規(guī)定集-射極電壓和柵-射極短路情況下流過(guò)集電極的電流

6、柵極-發(fā)射極漏電流IGES

在規(guī)定柵-射極電壓和集-射極短路情況下流過(guò)柵極的電流

7、柵極電阻rg

柵極內(nèi)部串聯(lián)電阻

8、輸出電容Coes

柵-射極短路情況下在集-射極間測(cè)得的寄生電容

9、輸入電容Cies

柵射極間的寄生電容

10、反向傳輸電容Cres

集電極端和柵極端之間的電容

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試的項(xiàng)目即多又雜，不同的參數(shù)有不同的測(cè)試方法。那么，我們?cè)撊绾芜M(jìn)行IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試？接下來(lái)通過(guò)一則小視頻來(lái)給大家講解。

通過(guò)上面的視頻我們了解了IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試的難點(diǎn)，也由此可知，建立高電壓、大電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試平臺(tái)十分重要。那么，我們?cè)撊绾未罱↖GBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)？測(cè)試線路該如何鏈接？

熱愛(ài)科普又好為人師的小編又出現(xiàn)了~

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《IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案》

內(nèi)容涵蓋：

- IGBT及其應(yīng)用發(fā)展

- IGBT主要測(cè)試參數(shù)

- IGBT測(cè)試難點(diǎn)

- IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案

- IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試連接示意圖

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方案特色：

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- 準(zhǔn)確的微弱信號(hào)測(cè)試能力，nA級(jí)漏電流﹐μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

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- 夾具適配靈活

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