專注于半導體電性能測試
當前位置:首頁 > 解決方案 > 分立器件 > 功率器件(IGBT)靜態(tài)參數(shù)測試
概述
SiC/IGBT及其應用發(fā)展
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,具有高輸入阻抗、低導通壓降、高速開關特性和低導通狀態(tài)損耗等特點,在較高頻率的大、中功率應用中占據(jù)了主導地位。
新能源汽車受800V驅(qū)動,以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速,貢獻最大下游市場并帶動充電樁、光儲及UPS市場逐步增長。碳化硅器件當前以電壓等級600-1700V,功率等級10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對象.以下五類細分應用成為當前及未來的核心潛力領域:
800V架構帶來的直接性能提升,疊加供給端、應用端、成本端多重利好,推動新能源汽車成為SiC未來5年核心應用陣地。
SiC/IGBT功率半導體器件主要測試參數(shù)
近年來IGBT成為電力電子領域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應用,那么IGBT的測試就變的尤為重要了。lGBT的測試包括靜態(tài)參數(shù)測試、動態(tài)參數(shù)測試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測試等,這些測試中最基本的測試就是靜態(tài)參數(shù)測試。
隨著半導體制程工藝不斷提升,測試和驗證也變得更加重要。通常,主要的功率半導體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關特 性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標,與工作條件無關的相關參數(shù),如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓 V(BR)DSS、漏電流I CES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導Gfs、壓降VF 、導通內(nèi)阻RDS(on))等。 功率半導體器件是一種復合全控型電壓驅(qū)動式器件,兼有高輸入阻抗和低導通壓降兩方面的優(yōu)點;同時半導體功率器件的芯片屬 于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對芯片的可靠性要求較高,這給測試帶來了一定的困難。市面 上傳統(tǒng)的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求,但是寬禁帶半導體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術卻 極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,這就對器件的測試工具提出更 為嚴苛的挑戰(zhàn)。
普賽斯IGBT功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)測試解決方案
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設計、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一款能夠提供IV、 CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎功率 二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有優(yōu)秀的測量 效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。
針對用戶不同測試場景的使用需求,普賽斯全新推出 PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件 靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜 態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動化測試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。
從實驗室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋
從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋
從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋
產(chǎn)品特點
1、高電壓、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高 達3500V(最大可擴展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高 達6000A(多模塊并聯(lián))
2、高精度測量
nA級漏電流,μΩ級導通電阻
0.1%精度測量
四線制測試
3、模塊化配置
可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元
系統(tǒng)預留升級空間,后期可添加或 升級測量單元
4、測試效率高
內(nèi)置專用開關矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元
支持國標全指標的一鍵測試
5、軟件功能豐富
上位機自帶器件標準參數(shù)測試項目模板,可直接調(diào)取使用
支持曲線繪制
自動保存測試數(shù)據(jù),并支持EXCEL格式導出
開放的標準SCPI指令集,可與第三方系統(tǒng)集成
6、擴展性好
支持常溫及低溫、高溫測試
可靈活定制各種夾具
可與探針臺,溫箱等第三方設備聯(lián)動使用
硬件特色與性能優(yōu)勢
1、大電流輸出響應快,無過沖
采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源,輸出建立過 程響應快、無過沖。測試過程中,大電流典型上升時間為15μs, 脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測試方式,可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。
2、高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式
采用自主開發(fā)的高性能高壓源,輸出建立與斷開響應快、無過 沖。在擊穿電壓測試中,可設定電流限制或者電壓限值,防止 器件因過壓或過流導致?lián)p壞。
規(guī)格參數(shù)