MOSFET(金屬―氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的常見(jiàn)半導(dǎo)體器件，可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管等材料制作,是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線(xiàn)、閾值電壓VGS(th)、漏電流lGSS、lDSS、擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。

受器件結(jié)構(gòu)本身的影響,實(shí)驗(yàn)室科研工作者或者測(cè)試工程師常見(jiàn)會(huì)碰到以下測(cè)試難題:

(1)由于MOSFET是多端口器件,所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試,而且MOSFET動(dòng)態(tài)電流范圍大,測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣,測(cè)量模塊的量程需要可以自動(dòng)切換;

(2)柵氧的漏電與柵氧質(zhì)量關(guān)系極大,漏電增加到一定程度即可構(gòu)成擊穿,導(dǎo)致器件失效,因此MOSFET的漏電流越小越好,需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試;

(3)隨著MOSFET特征尺寸越來(lái)越小,功率越來(lái)越大,自加熱效應(yīng)成為影響其可靠性的重要因素,而脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng),利用脈沖模式進(jìn)行MOSFET的l-V測(cè)試可以準(zhǔn)確評(píng)估、表征其特性;

(4)MOSFET的電容測(cè)試非常重要,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。不同頻率下C-V曲線(xiàn)不同,需要進(jìn)行多頻率、多電壓下的C-V測(cè)試,表征MOSFET的電容特性。

通過(guò)本期云課堂您可以了解到：

●  MOS管的基本結(jié)構(gòu)及分類(lèi)

●  MOS管的輸出、轉(zhuǎn)移特性和極限參數(shù)、靜態(tài)參數(shù)解析

●  不同功率規(guī)格的MOS管該如何進(jìn)行靜態(tài)參數(shù)測(cè)試？

●  輸入/輸出特性曲線(xiàn)、閾值電壓VGS(th)、漏電流lGSS、lDSS、擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等參數(shù)測(cè)試方案介紹

●  基于“五合一”高精度數(shù)字源表(SMU)的MOS管電性能測(cè)試實(shí)操演示

點(diǎn)擊下方按鈕，立即注冊(cè)觀(guān)看！