專注于半導(dǎo)體電性能測試
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引言
全球能源結(jié)構(gòu)的變革深刻影響著電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件是電力電子設(shè)備能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)年P(guān)鍵,在新能源汽車、光伏儲能、軌道交通等多個關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)廣泛應(yīng)用。隨著電力電子設(shè)備在多重非平穩(wěn)工況下的大量投用,可靠性問題日益突出,功率半導(dǎo)體器件的性能表征成為行業(yè)的研究熱點(diǎn)。
一、功率半導(dǎo)體應(yīng)用現(xiàn)狀
隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起,SiC憑借其高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優(yōu)勢,成為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競相追逐的“風(fēng)口”。在實(shí)際應(yīng)用中,搭載碳化硅功率器件的高壓系統(tǒng)通常能夠在短短十多分鐘內(nèi)將電池電量從10%快速充至80%。然而,SiC功率器件在運(yùn)行時會承受復(fù)雜的電-磁-熱-機(jī)械應(yīng)力,其電壓電流能力的提升,開關(guān)速度和功率密度的提升,對器件的性能和可靠性提出了更高的要求。
功率半導(dǎo)體器件在使用過程中可能會因?yàn)槎嘀匾蛩貙?dǎo)致失效,而這些不同因素所引發(fā)的失效形式也各不相同。因此,對失效機(jī)理進(jìn)行深入分析以及準(zhǔn)確辨識缺陷,是提高器件性能的重要前提。
二、功率半導(dǎo)體性能表征測試挑戰(zhàn)
功率半導(dǎo)體的性能表征,最早主要以測試二極管和三極管等分立器件的DC參數(shù)為主。MOSFET和SiC、GaN 出現(xiàn)后,測試技術(shù)研究的重點(diǎn)放在 GaN HEMT、SiC MOS、IGBT單管、PIM(即IGBT模組)等類型的產(chǎn)品上。根據(jù)測試條件不同,功率器件被測參數(shù)可分為兩大類:靜態(tài)參數(shù)測試和動態(tài)參數(shù)測試。靜態(tài)參數(shù)測試主要是表征器件本征特性指標(biāo),如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流ICES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs、二極管壓降VF、導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)等;動態(tài)參數(shù)測試是指器件開關(guān)過程中的相關(guān)參數(shù),這些參數(shù)會隨著開關(guān)條件如母線電壓、工作電流和驅(qū)動電阻等因素的改變而變化,如開關(guān)特性參數(shù)、體二極管反向恢復(fù)特性參數(shù)及柵極電荷特性參數(shù)等,主要采用雙脈沖測試進(jìn)行。
靜態(tài)參數(shù)是動態(tài)參數(shù)的前提,目前功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)主要是依據(jù)半導(dǎo)體器件公司提供的Datasheet來進(jìn)行測試。然而,功率半導(dǎo)體器件常被應(yīng)用于高速開通及關(guān)斷工作狀態(tài)下,器件絕大部分失效機(jī)理都發(fā)生在動態(tài)變化過程中,因此動、靜態(tài)參數(shù)的測試對功率半導(dǎo)體器件都很重要。此外,以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體器件耐壓等級更高,且經(jīng)過串/并聯(lián)應(yīng)用于更高電壓/功率等級的裝備,對制造過程各階段的測試要求也提出了新的挑戰(zhàn):
隨著功率半導(dǎo)體器件(如MOSFET、IGBT、SiC MOS)規(guī)格的不斷提升,靜態(tài)參數(shù)測試中的電流電壓等級要求也越來越高,要求測試系統(tǒng)必須能夠穩(wěn)定、準(zhǔn)確地提供和測量高電壓和大電流。同時還需要在測試過程中減少施加應(yīng)力的時間,以防止器件過熱損壞。此外,SiC閾值電壓漂移是功率器件測試過程中常見的問題,閾值電壓漂移會對功率器件的開關(guān)特性產(chǎn)生影響,可能會引起器件的誤導(dǎo)通,從而導(dǎo)致器件的損壞。
圖:JEDEC JEP183、CASAS中Sic VGS(th)的測試標(biāo)準(zhǔn)
在功率半導(dǎo)體器件的動態(tài)參數(shù)測試過程中,寄生電感和寄生電容對測試結(jié)果影響巨大。寄生電感主要來源于PCB連接線以及器件封裝,而功率器件的電流變化率大,使寄生電感對測試結(jié)果也會產(chǎn)生影響。同時,雙脈沖測試電路中除了器件的結(jié)電容外,續(xù)流二極管和負(fù)載電感上均存在寄生電容,這兩個寄生電容對器件的開通過程有明顯影響。此外,功率器件的開關(guān)速度高,要求測試設(shè)備具有較高的帶寬以準(zhǔn)確采集開關(guān)波形的上升沿和下降沿。
3、全測試流程節(jié)點(diǎn)增加
對于PIM和IPM等功率模塊,實(shí)際是由單管組合的,單管的良率和質(zhì)量將直接影響模塊的成本和質(zhì)量,為降低模塊的封裝和制造成本,業(yè)內(nèi)已經(jīng)考慮增加測試節(jié)點(diǎn)和測試左移,從 CP+FT 測試,變?yōu)?CP + KGD + DBC + FT測試。
圖:功率半導(dǎo)體器件測試流程節(jié)點(diǎn)
三、普賽斯功率半導(dǎo)體一站式測試解決方案
為應(yīng)對行業(yè)對功率半導(dǎo)體器件的測試需求,普賽斯儀表以核心源表為基礎(chǔ),正向設(shè)計(jì)、精益打造了一站式高精密電壓-電流的功率半導(dǎo)體電性能測試解決方案,廣泛適用于從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的全方位應(yīng)用。設(shè)備具有高精度與大范圍測試能力(10kV/6000A)、多元化測試功能(直流IV/脈沖IV/CV/跨導(dǎo))、高低溫測試能力(-55℃~250℃),滿足功率半導(dǎo)體行業(yè)對測試能力、精度、速度及穩(wěn)定性的高要求。
圖:PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
圖:PSS TEST靜態(tài)高低溫半自動測試系統(tǒng)
圖:PMST-MP 靜態(tài)參數(shù)半自動化測試系統(tǒng)
圖:PMST-AP 靜態(tài)參數(shù)全自動化測試系統(tǒng)
精準(zhǔn)始于源頭。普賽斯儀表作為率先自主研發(fā)、國內(nèi)首家將數(shù)字源表SMU產(chǎn)業(yè)化的企業(yè),經(jīng)過長期深入的研發(fā)應(yīng)用,已經(jīng)完全掌握了源測量單元的邏輯與算法,確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。PMST功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)系列產(chǎn)品采用模塊化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),集成自主研發(fā)的高壓測試單元、大電流測試單元、小功率測試單元,為用戶后續(xù)靈活添加或升級測量模塊以適應(yīng)不斷變化的測量需求,提供了極大便捷和最優(yōu)性價比,具有高度易用性和可擴(kuò)展性,任何工程師都能快速掌握并使用。
01大電流輸出響應(yīng)快,無過沖
自主研發(fā)的高效能脈沖式大電流源,其輸出建立過程響應(yīng)迅速,且無過沖現(xiàn)象。在測試環(huán)節(jié),大電流的典型上升時間僅為15μs,脈沖寬度可在50~500μs之間靈活調(diào)整。采用此種脈沖大電流測試方法,能夠顯著降低因器件自身發(fā)熱所引發(fā)的誤差,確保測試結(jié)果的精確性與可靠性。
02高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式
自主研發(fā)的高性能高壓源,其輸出建立與斷開反應(yīng)迅速,且無過沖現(xiàn)象。在進(jìn)行擊穿電壓測試時,可靈活設(shè)定電流限制或電壓限值,以確保設(shè)備不因過壓或過流而受損,有效保護(hù)器件的安全性和穩(wěn)定性。
此外,應(yīng)用端的多樣化導(dǎo)致功率半導(dǎo)體廠商需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行定制化封裝,封裝形式的多樣性亦給測試工作帶來不小的挑戰(zhàn),普賽斯儀表可提供多樣化、精細(xì)化、定制化的夾具解決方案,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的電性能表征和測試需求。同時,普賽斯儀表與上下游企業(yè)進(jìn)行緊密合作,共同推動功率器件測試產(chǎn)品線的完善,幫助半導(dǎo)體企業(yè)提高測試效率以及產(chǎn)線UPH。
結(jié)語
目前,普賽斯儀表功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)已經(jīng)銷往全國并出口海外,被國內(nèi)外多家半導(dǎo)體頭部企業(yè)認(rèn)可。我們堅(jiān)信,通過持續(xù)的技術(shù)研發(fā)與國際合作,秉持創(chuàng)新驅(qū)動、質(zhì)量為先的理念,不斷突破技術(shù)壁壘,優(yōu)化產(chǎn)品性能,未來普賽斯儀表將為全球客戶提供更加精準(zhǔn)、高效、可靠的功率半導(dǎo)體測試解決方案。