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專注于半導(dǎo)體電性能測(cè)試
專注于半導(dǎo)體電性能測(cè)試
盛夏已過(guò)，初秋開場(chǎng)
八月的高溫依舊遲遲不散
生活也免不了被繁雜的工作封印
高壓大功率(6500V/3000A)IGBT測(cè)試難？
伴隨著項(xiàng)目需求急、任務(wù)重、要求高
工程師們壓力山大...
不如先Fun松Fun松~
Step 1
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Step 2
掃描下方二維碼，上傳截圖、填寫問(wèn)題答案并提交。
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搞懂這幾個(gè)問(wèn)題，輕松解決測(cè)試難題！
1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測(cè)試條件向高壓大功率轉(zhuǎn)變
SiC絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)“高耐壓”、“低導(dǎo)通電阻”、“高頻”這三個(gè)特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測(cè)試條件需要達(dá)到6500V/3000A。
2、掃描模式對(duì)閾值電壓漂移的影響
由于SiC與Si特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在器件測(cè)試過(guò)程中閾值電壓會(huì)有明顯漂移，導(dǎo)致其電性能測(cè)試以及高溫柵偏試驗(yàn)后的電測(cè)試結(jié)果嚴(yán)重依賴于測(cè)試條件。因此閾值電壓的準(zhǔn)確測(cè)試，現(xiàn)行可靠性測(cè)試方法有：
3、脈寬和溫度對(duì)導(dǎo)通電阻的影響
導(dǎo)通電阻 RDSon為影響器件工作時(shí)導(dǎo)通損耗的一重要特征參數(shù)，其數(shù)值會(huì)隨 VGS 以及T的變化而改變。
4、FIMV、FVMI 對(duì)測(cè)試的影響
限流保護(hù)能夠?qū)㈦妷夯蛘唠娏飨拗圃赟OA區(qū)域，避免器件損壞或炸管。
測(cè)試條件：800V 恒壓 10μA 限流
測(cè)試條件：100μA 恒流1000V限壓
5、等效電阻對(duì)導(dǎo)通壓降測(cè)試的影響
? 開爾文（Kelvin）電流檢測(cè)電路將提高導(dǎo)通電壓測(cè)量精度；
? SOCKET與PIN接觸電阻、測(cè)試引線導(dǎo)通電阻。
6、等效電感對(duì)導(dǎo)通壓降測(cè)試的影響
? 電感過(guò)大，電流波形振蕩；
? 線路等效電感、DUT等效電感。
7、線路等效電容對(duì)測(cè)試的影響
? 普通同軸電纜的等效電容與DUT并聯(lián)，SMU測(cè)試時(shí)上升以及穩(wěn)定時(shí)間長(zhǎng)；
? 三同軸電纜等效電容幾乎為0。
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