以化合物半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起，未來(lái)10年將對(duì)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的重塑產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。為進(jìn)一步聚焦國(guó)際半導(dǎo)體光電子、半導(dǎo)體激光器、功率半導(dǎo)體器件等化合物半導(dǎo)體技術(shù)及應(yīng)用的最新進(jìn)展，促進(jìn)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全方位、全鏈條發(fā)展。4月19-21日，首屆中國(guó)光谷九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會(huì)于武漢召開(kāi)。在湖北省和武漢市政府支持下，論壇由武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、九峰山實(shí)驗(yàn)室、光谷集成電路創(chuàng)新平臺(tái)聯(lián)盟共同主辦。

        本屆論壇以“攀峰聚智、芯動(dòng)未來(lái)”為主題，為期三天，通過(guò)開(kāi)幕大會(huì)、5大主題平行論壇、超70+場(chǎng)次主題報(bào)告分享，邀請(qǐng)了500+企業(yè)代表，共同探討化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)新機(jī)遇、前沿新技術(shù)。

        功率半導(dǎo)體器件一直是電力電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分，是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件，又稱(chēng)為電力電子器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉(zhuǎn)換和管理等，兼具節(jié)能功效。隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展和電力電子技術(shù)水平的提高，功率半導(dǎo)體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新，其應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)，市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

        Yole數(shù)據(jù)顯示，全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將從2021年的11億美元增長(zhǎng)至2027年的63億美元，年復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）將超過(guò)34%，GaN功率器件市場(chǎng)將從2021年的1.26億美元增長(zhǎng)到2027年的20億美元，年復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）高達(dá)的59%。雖然 Si 仍是主流半導(dǎo)體材料，但第三代半導(dǎo)體滲透率仍將逐年攀升，整體滲透率預(yù)計(jì)于2024年超過(guò)10%，其中 SiC 的市場(chǎng)滲透率有望接近10%。

        隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn)，功率半導(dǎo)體的襯底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC（碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料迅速崛起，它們通常具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點(diǎn)，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體先進(jìn)生產(chǎn)力代表之一

        碳化硅（Silicone Carbide, SiC）是目前最受行業(yè)關(guān)注的半導(dǎo)體材料之一，從材料層面看，SiC是一種由硅（Si）和碳（C）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料；絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)（Breakdown Field）是Si的10倍，帶隙（Energy Gap）是Si的3倍，飽和電子漂移速率是硅的2倍，能夠?qū)崿F(xiàn)“高耐壓”、“低導(dǎo)通電阻”、“高頻”這三個(gè)特性。

        從SiC的器件結(jié)構(gòu)層面探究，SiC 器件漂移層電阻比 Si 器件要小，不必使用電導(dǎo)率調(diào)制，就能以具有快速器件結(jié)構(gòu)特征的 MOSFET 同時(shí)實(shí)現(xiàn)高耐壓和低導(dǎo)通電阻。與 600V～900V 的 Si MOSFET 相比，SiC MOSFET具有芯片面積小、體二極管的反向恢復(fù)損耗非常小等優(yōu)點(diǎn)。

        不同材料、不同技術(shù)的功率器件的性能差異很大。市面上傳統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求。但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線(xiàn)或其它靜態(tài)特性，這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

        靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。靜態(tài)參數(shù)測(cè)試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC（直流）狀態(tài)測(cè)試，施加激勵(lì)(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進(jìn)行的測(cè)試。主要包括：柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級(jí)間耐壓、源極漏級(jí)間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容),以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線(xiàn)的測(cè)試。

        圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試中的常見(jiàn)問(wèn)題，如掃描模式對(duì)SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對(duì)SiC MOSFET 導(dǎo)通電阻的影響、等效電阻及等效電感對(duì)SiC MOSFET導(dǎo)通壓降測(cè)試的影響、線(xiàn)路等效電容對(duì)SiC MOSFET測(cè)試的影響等多個(gè)維度，針對(duì)測(cè)試中存在的測(cè)不準(zhǔn)、測(cè)不全、可靠性以及效率低的問(wèn)題，普賽斯儀表提供一種基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測(cè)試方案，具有更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力。

下一期，我們將針對(duì)功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試中的常見(jiàn)影響因素的探究展開(kāi)更為詳盡的分享，敬請(qǐng)期待！